场效应管与三极管的区别：
1.场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，WP大电流mos，在性能方面，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能；
2.场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，大电流mos万芯半导体，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的；
3.场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；
4.场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；
5.场效应管输入阻抗大；三极管输入阻抗小；
6.场效应管的频率特性不如三极管；
7.场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；
8.信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
mos管小电流发热的缘故
1、电路原理的难题，便是让MOS管工作中在线形的运行状态，而不是在开关情况。这也是造成 MOS管发热的一个缘故。假如N-MOS做开关，G级工作电压要比开关电源高几V，才可以彻i底通断，P-MOS则反过来。沒有彻i底开启而损耗过大导致输出功率耗费，等效电路直流电特性阻抗较为大，损耗扩大，因此U*I也扩大，耗损就代表着发热。这也是设计方案控制电路的避讳的不正确。
2、頻率太高，主要是有时候太过追求完i美容积，造成 頻率提升，MOS管上的消耗扩大了，因此发热也增加了。
3、沒有做到充足的排热设计方案，电流太高，MOS管允差的电流值，一般必须保持良好的排热才可以做到。因此ID低于较大电流，也很有可能发热比较严重，必须充足的輔助散热器。
4、MOS管的型号选择不正确，大电流mos，对输出功率分辨不正确，大电流mos公司，MOS管内电阻沒有考虑到，造成开关特性阻抗扩大。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。
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