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结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极也就是晶体管的那个基极，漏极和源极分别是对应晶体管的集电极和发射极。把万用表调到R×1k档，用两表笔分别去测量两个管脚间的正向电阻和反向电阻。当某两个管脚间的正向电阻=反向电阻=KΩ的时候，WPmos管价格，也就是这两个管脚为源极S和漏极D，剩下的管脚就是栅极G。如果是4个管脚的结型场效应管，另外的一极则是使用中接地的屏蔽极。
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判定栅极
用万用表的黑表笔去触碰管子的随意一个电极，红表笔分别去触碰另外的两个电极。如果两次都测出的阻值较小，说明两者都是正向电阻，该管属于是N沟道的场效应管，黑表笔接触的一样也是栅极。
制作的过程中就决定了场效应管的漏极和源极是对称的 ，宁波WPmos管，可以互相交换使用 ，并不会影响电路的使用，电路此时也是正常的，所以不用去过度区分。漏极和源极之间的电阻大约是几千欧。不能使用这个方法去判断绝缘栅型场效应管的栅极。因为这管子输入的电阻是极高的，而且栅源之间的极间电容又是非常小的，测量的时候只要有少量电荷，就可以在极间电容上面形成极高的电压，管子将很容易损坏。
一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。
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